삼성전자, 세계 최초 '900단 V낸드' 구현

삼성전자가 900층급 V-NAND 기술의 프로토타입 구현에 세계 최초로 성공하며 "1,000층 NAND" 시대를 향한 또 한 걸음 나아갔다. 경쟁사들과의 적층 수 경쟁이 치열해지는 가운데, 이번 성과는 삼성이 한 번에 결정적인 기술 우위를 확보한 것으로 평가되고 있다.

반도체 업계에 따르면 25일 삼성전자는 최근 셀 멀티 본딩(CMB)" 기술을 활용해 450층 셀 웨이퍼 2개를 결합한 통합형 900층급 V-NAND 시스템을 구현했다.